型号 | 最大漏极电压 | 最大漏极电流 | 导通内阻 | 封装 | 栅极总电荷 | 反向恢复电荷 | PDF下载 |
HG65C1R070F | 650V | 32A | 70mΩ | TO-220 | 14nC | 124nC |
HG65C1R070F采用TO-220封装、650V、70mΩ氮化镓FET。它是一款常关器件,将最新的高压氮化镓 HEMT与低压硅 MOSFET相结合,提供卓越的可靠性和性能。HGN65C1R120F经JEDEC认证,先进的动态RDSon测试,具有宽栅极安全裕度、低反向恢复的特性。符合RoHS、REACH、无卤标准。提高硬开关和软开关电路的效率(增加功率密度、减小系统尺寸和重量、整体系统成本较低),也兼容传统Si驱动器。
D-Mode氮化镓二维电子气浓度高,方阻低,共源共栅阈值电压为3V, VGS耐压在±20V,之间,动态电阻小于1.1,驱动更简单