X
HG65C1R070F

氮化镓

HG65C1R070F

HG65C1R070F基本参数

型号 最大漏极电压 最大漏极电流 导通内阻 封装 栅极总电荷 反向恢复电荷 PDF下载
HG65C1R070F 650V 32A 70mΩ TO-220 14nC 124nC HG65C1R070FPDF文件

HG65C1R070F应用范围

PD快充TV电源LED电源适配器电源排插车载充电头

其他介绍

HG65C1R070F采用TO-220封装、650V、70mΩ氮化镓FET。它是一款常关器件,将最新的高压氮化镓 HEMT与低压硅 MOSFET相结合,提供卓越的可靠性和性能。HGN65C1R120F经JEDEC认证,先进的动态RDSon测试,具有宽栅极安全裕度、低反向恢复的特性。符合RoHS、REACH、无卤标准。提高硬开关和软开关电路的效率(增加功率密度、减小系统尺寸和重量、整体系统成本较低),也兼容传统Si驱动器。
D-Mode氮化镓二维电子气浓度高,方阻低,共源共栅阈值电压为3V, VGS耐压在±20V,之间,动态电阻小于1.1,驱动更简单





X

样品申请

在接收到您的样品申请后,我们将在24小时内联系您。如信息真实可信并符合样品政策,将在审核通过后的48小时内发货,并同步将快递信息通过所留电话或邮箱反馈给您。如果遇到无货或其他特殊情况,我们也会及时通知到您。
您收到样品后,请尽早在应用项目中进行测试,并将使用情况通过邮箱ast@asiasemitech.com反馈给我们。

在接收到您的样品申请后,我们将在24小时内联系您。您收到样品后,请尽早在应用项目中进行测试,并将使用情况通过邮箱ast@asiasemitech.com反馈给我们。