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氮化镓

氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。

封装方式 所有
型号 产品图 最大漏极电压 最大漏极电流 导通内阻 封装 栅极总电荷 反向恢复电荷 PDF下载
HGN65C1R120F HGN65C1R120F 650V 22A 120mΩ TO-220 9.5nC 110nC HGN65C1R120FPDF文件
HG70C1R460L HG70C1R460L 650V 5A 460mΩ TO-252 9.5nC 110nC HG70C1R460LPDF文件
HG65C1R200L HG65C1R200L 650V 12A 200mΩ TO-252 9.5nC 110nC HG65C1R200LPDF文件
HG65C1R200C HG65C1R200C 650V TBD 200mΩ TO-220 9.5nC 110nC HG65C1R200CPDF文件
HG65C1R070N HG65C1R070N 650V 24A 70mΩ DFN8*8 9.5nC 110nC HG65C1R070NPDF文件
HG65C1R070G HG65C1R070G 650V 32A 70mΩ TO-247 9.5nC 110nC HG65C1R070GPDF文件
HG65C1R070F HG65C1R070F 650V 32A 70mΩ TO-220 9.5nC 110nC HG65C1R070FPDF文件
HG65C1R035G HG65C1R035G 650V 24A 35mΩ DFN8*8 9.5nC 110nC HG65C1R035GPDF文件
HG65C1R120N HG65C1R120N 650V 17A 120mΩ DFN8*8 16.2nC 84nC HG65C1R120NPDF文件
HG65C1R200N HG65C1R200N 650V 12A 200mΩ DFN8*8 11.9nC 53nC HG65C1R200NPDF文件